Станислав Власенко
Главная | | Регистрация | Вход
Пятница
26.04.2024
02:39
Приветствую Вас Гость | RSS
Главная » 2010 » Февраль » 3 » INTEL И MICRON ПРЕДСТАВЛЯЮТ 25-НАНОМЕТРОВУЮ ПАМЯТЬ NAND
23:10
INTEL И MICRON ПРЕДСТАВЛЯЮТ 25-НАНОМЕТРОВУЮ ПАМЯТЬ NAND


Intel и Micron Technology* объявили о запуске 25-нанометровой (25-нм) технологии производства NAND-памяти, которая позволяет снизить производственные издержки и увеличить емкость хранилищ данных популярных потребительских устройств – смартфонов, медиаплееров и твердотельных накопителей.

Флэш-память NAND используется для хранения пользовательских файлов в потребительской электронике. Данные сохраняются и при выключенном электропитании. Уменьшение топологии чипов NAND позволяет расширять сферу применения этого типа памяти. 25-нм технологический процесс является не только наименьшим при изготовлении микросхем NAND, но и наиболее прогрессивным сегодня в полупроводниковой индустрии в целом. Это достижение позволяет  увеличить количество музыкальных, видеофайлов и других данных, хранящихся в карманных устройствах и персональных компьютерах.

IM Flash Technologies* (IMFT), совместное предприятие Intel и Micron* по выпуску флэш-памяти, приступило к производству модулей NAND емкостью 8 ГБайт. Площадь решения составляет 167 мм2; оно помещается в отверстие в центре компакт-диска. Обладая такими размерами, модуль способен вместить данные 10 компакт-дисков емкостью 700 мегабайт каждый.

Сконцентрировав инвестиции в разработку и исследования флэш-памяти, Intel и Micron* получили возможность удваивать плотность NAND-чипов приблизительно каждые 18 месяцев. Этот процесс ведет к постоянному уменьшению размеров продукции, повышению ее емкости и снижению производственных затрат. Сегодня, с переходом на 25-нм процесс, компании улучшают производственный цикл и укрепляются на рынке в качестве инноваторов, предлагая наименьший размер ячеек памяти в индустрии.

В настоящее время ведутся поставки тестовых образцов 8-гигабайтных модулей 25-нм NAND-памяти. Серийное производство планируется во II квартале 2010 г. Устройство использует многоуровневую структуру ячеек (MLC) с хранением в каждой двух битов данных. Решение помещается в стандартный тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами (TSOP). В новом модуле число чипов, по сравнению с решениями на базе техпроцессов предыдущих поколений, сокращено на 50%. Это позволяет конструировать еще более вместительные решения с меньшим коэффициентом производственных затрат. Для увеличения емкости производитель может использовать несколько модулей. Например, один SSD емкостью 256 ГБайт можно содержать 32 новых модуля вместо 64; для 32 Гбайтного хранилища в смартфоне требуется 4 модуля, а для 16-гигабайтной карты памяти – всего два.
| Теги: ПАМЯТЬ NAND, intel | Рейтинг: 0.0/0
Форма входа
RSS

Подписка на новости от Станислава Власенко по Email

Поиск
Календарь
«  Февраль 2010  »
ПнВтСрЧтПтСбВс
1234567
891011121314
15161718192021
22232425262728
Архив записей
Друзья сайта
  • Официальный блог
  • Сообщество uCoz
  • FAQ по системе
  • Инструкции для uCoz
  • Статистика

    Онлайн всего: 1
    Гостей: 1
    Пользователей: 0